จากการศึกษาการเคลือบฟิล์มบางบิสมัสเ

จากการศึกษาการเคลือบฟิล์มบางบิสมัสเทลลูไรด์โดยวิธีอาร์เอฟแมกนีตรอนสปัตเตอริงลงบนวัสดุรองรับ โพลีอิมมิด เพื่อศึกษาอุณหภูมิที่อบต่อสมบัติเชิงโครงสร้างและสมบัติทางเทอร์โมอิเล็กทริก โดยอบที่อุณหภูมิ แตกต่างกันตั้งแต่อุณหภูมิ 300 ºC 350 ºC และ 400 ºC ภายใต้ความดันบรรยากาศของก๊าซไนโตรเจนเป็นเวลา
1 ชั่วโมง จากการวิเคราะห์สมบัติเชิงโครงสร้าง พบว่าเมื่อทำการอบฟิล์มบางบิสมัสเทลลูไรด์ที่อุณหภูมิ 400 ºC ฟิล์มจะมีโครงสร้างผลึกที่สมบูรณ์มากขึ้น มีขนาดของเกรนที่เพิ่มขึ้นและจะมีความหนาแน่นมากกว่าฟิล์มที่ไม่ผ่านการอบและอบที่อุณหภูมิ 300-350 ºC ส่งผลให้ค่าสภาพนำไฟฟ้าสูงขึ้น จากการวิเคราะห์ธาตุเชิงพลังงาน (EDS) ของฟิล์มบางบิสมัสเทลลูไรด์ พบว่ากระบวนการอบฟิล์มจะปรับอัตราส่วนของ Bi : Te ให้ใกล้เคียงกับ Bi2Te3 มากขึ้น โดยค่าสัมประสิทธิ์ซีเบคที่การอบที่ 400 ºC จะมีค่าสัมประสิทธิ์ซีเบคต่ำสุด คือ -7.88 x 10-5 V/K ในขณะที่มีค่าเพาเวอร์แฟคเตอร์สูงสุด คือ 1.41 x 10-3 W/m K2 วัดที่อุณหภูมิ 150 ºC จากค่าเพาเวอร์แฟคเตอร์จะเห็นได้ว่า ฟิล์มบางบิสมัสเทลลูไรด์ที่เหมาะสมจะนำไปใช้เป็นวัสดุเทอร์โมอิเล็กทริก คือ ฟิล์มบางบิสมัสเทลลูไรด์อบที่ อุณหภูมิ 400 ºC

ผลลัพธ์ (อังกฤษ) 1:

From a study of thin film coatings by samat bikini pour RH famaek kullu Ryde FX ngalong foe on the preparation of a sputtering Ron material supports. To study temperature impact poly baked structural properties and thermodynamic properties dielectric by baking at different temperatures ranging from 300 ºC temperature 350 ºC and 400 ºC under atmospheric pressure of nitrogen gas is time. 1 hour from structural analysis of treasures found when baking the film evokes some of samat bikini pour 400 ºC temperature film will stimulate has a crystal structure that more complete. With increased grain size and density, rather than film, there will be a non-baking and baked at a temperature of 300-350 ºC, resulting in higher conductivity values. From that analysis of the thin-film power (EDS), samat bikini pour kullu Ryde. The baking process, the film is found to adjust the ratio of Bi, Bi2Te3 close to Te: more. By Xebec coefficient at 400 ºC to baking, there are minimum coefficient Xebec-7.88 x 10-5/K V while having maximum power factor value is 1.41 x 10-3 W/m ºC measured at a temperature of 150 from the K2 values of power factor, it can be seen that film bikini samat pour proper ride evokes applied thermoplastic materials as dielectric thin film bikini samat is pouring baking temperature 400 ºC Ryde kullu.

ผลลัพธ์ (อังกฤษ) 2:

The study of thin film coating business Mustaine telluride by RFID magnetron sputtering Sterling down on the media Poly Impact Midland to study temperature bake structural properties and. properties of thermoplastic dielectric. The baking temperature The temperature ranged from 300 ºC 350 ºC and 400 ºC, under pressure of nitrogen gas for
one hour, from analyzing structural properties. Found that when a thin film of bismuth telluride technology at 400 ºC, the film will have a more perfect crystal structure. A grain size of the increase and there will be more dense films without baking and baked at a temperature of 300-350 ºC, resulting in a higher conductivity. From an energy elemental analysis (EDS) of thin-film bismuth telluride technology. The film showed a ratio of Bi: Te close to Bi2Te3 more Seebeck coefficient of the oven at 400 ºC to Beck's lowest coefficient is -7.88 x 10-5 V / K. while the maximum power factor is 1.41 x 10-3 W / m K2 measured at a temperature of 150 ºC for Power factor is shown. Thin bismuth telluride only appropriate to apply a thermoplastic material is a dielectric thin film bismuth telluride pour oven at 400 ºC.

ผลลัพธ์ (อังกฤษ) 3:

From the study of thin film coating bis mus telluride by RF magnetron sputtering on the วัสดุรองรับ poly im mid to study the temperatures on the structural properties and properties of thermo electric. By the temperature, the temperature varies from 300 º C 350 º C 400 º and C under atmospheric pressure of nitrogen gas for a time.1 hours, from the analysis of the structural properties. Found that when the round thin film biz mus telluride at 400 º C. The film will have a crystal structure more complete. The grain size of the increase and the density than the film through the drying and baking temperature 300-350 º C. Electrolytic conductivity resulting in increased. From the elemental analysis of energy (EDS) thin film biz mus telluride. Find the process steam film will adjust the ratio of Bi: Te close to the Bi2Te3 more by coefficient Sebek in GA round 400 º C. There is 7.88 minimum coefficient of Xebec - x 10-5 V / K while the power factor. The maximum is 1.41 x 10-3 W/ m K2 temple at 150 º C. The power factor can be seen. Thin film biz mus telluride proper is used as material. โมอิ Electric is บิสมัส telluride thin film drying at 400 º C.