กราฟแสดงค่าElectron Concentration ข

กราฟแสดงค่าElectron Concentration ของอุปกรณ์ nMOS ที่ถูกสร้างขึ้น พบว่าอิเล็กตอนมีความเข้มข้นสูงสุดที่ผิวหน้าหรือที่ความลึกเป็นศูนย์และ มีการกระจายตัวเจือจางลงเรื่อยๆลักษณะเป็นเชิงเส้นที่ความลึกจากผิวหน้าจนถึงประมาณ-0.5 um หลังจากนั้นจะมีความเข้มขั้นคงที่และจากความลึกประมาณ-0.4 um จนไปสิ้นสุดที่ -0.3 um

ผลลัพธ์ (อังกฤษ) 1:

The graph shows the Electron Concentration of nMOS devices that have been created. Found that there are now electronic maximum concentrations at the surface or at depth is zero, and there are lots of fragmented gradually as a linear depth from the surface to about-0.5 um. After that, there will be a constant step depth and from a depth of approximately-0.4 um to um 0.3-ending.

ผลลัพธ์ (อังกฤษ) 2:

This graph shows the Electron Concentration of nMOS devices are built. Found that electrons with the highest concentration at the surface or at depth zero. Fragmentation dilute it a linear depth from the surface to about -0.5 um, later to have a constant intensity and depth of approximately -0.4 um until the end of -0.3 um.

ผลลัพธ์ (อังกฤษ) 3:

The graph shows Electron Concentration of equipment nMOS was created. Found that the electronic part with the highest concentration at the surface or at a depth of zero and5 um intensity and after that there will be constant step from the depth of about - 0.4 um until the end - 0.3 um.