無論燒結電極中的PTFE含量如何,所有樣品都表現出與圖6a所示的電容性杜布層行為[23]相同的趨勢特徵。在高頻 (+1kHz) 時,奈奎斯特圖的虛部為空,阻抗的實際部分調用細胞等效系列 Resis-tance (ESR)。15% PTFE 細胞的 ESR 為 0.5 cm2(表 2)。高頻電阻是散裝電解質電阻和電阻的貢獻之和。<br>電極的電流,後者包含碳電阻、碳/碳接觸電阻和碳膜/電流收集器電阻的貢獻。在任何奈奎斯特圖上未觀察到高頻環路,從而表明碳膜/電流收集器接觸阻抗較小 [20]
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