จาก ตารางจะเห็นว่าคอปเปอร์ที่เติมลง

จาก ตารางจะเห็นว่าคอปเปอร์ที่เติมลงไปไม่มีผลต่อค่าช่องว่างระหว่างพลังงานของซิงค์ออกไซด์เห็นได้จากค่าช่องว่างระหว่างพลังงานคอปเปอร์/ซิงค์ออกไซด์ที่เตรียมด้วยวิธีต่างๆแทบไม่มีการเปลี่ยนแปลงไปจากซิงค์ออกไซด์ จึงเป็นไปได้ว่าคอปเปอร์ที่เติมลงไปไม่ได้เข้าแทรกเข้าไปภายใน
โครงสร้างผลึกของสารกึ่งตัวนำซิงค์ออกไซด์ แต่ไปแทรกอยู่บริเวณขอบเกรนของผลึก จึงไม่ทำให้ค่าช่อว่างระหว่างพลังงานเกิดการเปลี่ยนแปลง

ผลลัพธ์ (อังกฤษ) 1:

From the table, you will see that the copper fill to have no effect on the value of the gap between the power of zinc oxide from the value gap between power copper/zinc oxide prepared by different methods, there are almost no change from the zinc oxide, so it is possible that the copper that is impossible to access the inserted within the.Crystal structure of semiconductor zinc oxide, but to insert a bit of edge on the crystals. So do not make up a bouquet of power has changed.

ผลลัพธ์ (อังกฤษ) 2:

From the table to see that copper is added to no effect on the gap between the energy of ZnO seen from the energy gap between copper / zinc oxide prepared in various ways, virtually unchanged from zinc oxide. It is possible that copper is added to not have to insert into the
crystal structure of ZnO semiconductor. But the insertion area of the crystal grain boundaries. So do not make the bouquet between energy changes.

ผลลัพธ์ (อังกฤษ) 3:

From.It is possible that copper added not to intervene into the
.The crystal structure of the semiconductor zinc oxide. But to insert in the grain boundary of the crystals. So don't make the bouquet of space between the energy changes