อุปกรณ์เหล่านี้มักจะสร้างบนเวเฟอร์ท

อุปกรณ์เหล่านี้มักจะสร้างบนเวเฟอร์ที่ใช้ Si กระบวนการมาตรฐานวงจรรวม ( IC ) และ กระบวนการmicromachiningนอกจากนี้ การผลิตเซ็นเซอร์อัลตราโซนิกบนพื้นผิวศรีอนุญาตให้รวมกับวงจรประมวลผลสัญญาณ เช่นการใช้หัววัดอัลตราโซนิกที่ใช้epitaxial ฟิล์มบาง PZT ปลูกบน epitaxialPt/Al2O3//Siที่ได้เครื่องขยายกำลังสัญญาณและวงจรความต้านทานการจับคู่ จากนั้นก็จัด ทำรายงานของ epitaxial multi-layerโครงสร้างที่มีความเหมาะสมสำหรับการผลิตเซ็นเซอร์กับพื้นผิวบน Si และ ประเมินความไวของเซ็นเซอร์อัลตราโซนิกเพื่อให้รายละเอียดของการใช้การใช้รายงานแรกของโครงสร้าง PZT films on SrRuO3/Pt/-Al2O3/Si

ผลลัพธ์ (อังกฤษ) 1:

These devices are usually created on a Si wafer using integrated circuit (IC), the standard processes and micromachining processes also manufactured sensors, ultrasonic frog skin, going so far as to allow integration with the Sri signal processing circuitry, such as the use of ultrasonic probe using epitaxial. PZT thin film grown on epitaxialPt/Al 2 O 3 Si that has extremely spacious preamplifier circuit impedance and matching. We then prepare a report of multi-layer epitaxial structure that is suitable for the production of the sensor to the surface on Si and evaluate the sensitivity of the ultrasonic sensor, click to give details of the report, the first use of PZT films on structural SrRuO3/Pt/-Al2O3/Si.

ผลลัพธ์ (อังกฤษ) 2:

These devices are often created on the Si wafers using standard integrated circuit (IC) and micromachining processes also. Manufacturing ultrasonic sensors on the surface of Sri allows integration with signal processing circuit. Using such an ultrasonic probe is used to grow epitaxial thin-film PZT on epitaxialPt / Al2O3 // Si the power amplifier output impedance matching circuit and then prepare a report of epitaxial multi-layer structures with. suitable for the manufacture of the sensor to the surface on Si and assess the sensitivity of the ultrasonic sensors to provide details of the report of the PZT films on SrRuO3 / Pt / -Al2O3 / Si.

ผลลัพธ์ (อังกฤษ) 3:

These devices are usually built on a wafer using Si standard process integrated circuit (IC) and the process micromachining also. Production of ultra โซนิ sensor on the surface of Si allow combined with signal processing circuit Such as the use of ultrasonic probe used epitaxial PZT thin film grown on epitaxialPt / Al2O3 / / Si has facilities and expanding signal circuit resistance matching. Then, the report of epitaxial multi-layer structure with appropriate for producing the sensor surface with an area on the Si and evaluate the sensitivity of the ultrasonic sensor to provide details of the use of the first report of the structure. PZT films on SrRuO3 / Pt / - Al2O3 / Si.