รูปที่ 5 แสดงการวิเคราะห์ธาตุเชิงพล

รูปที่ 5 แสดงการวิเคราะห์ธาตุเชิงพลังงาน (EDS) ของฟิล์มบางบิสมัสเทลลูไรด์โดยอัตราส่วนของ Bi : Te ของฟิล์มที่นำไปอบที่อุณหภูมิต่างๆ แสดงดังตารางที่ 1 จากตารางที่ 1 พบว่าฟิล์มที่ไม่ผ่านกระบวนการอบจะมีอัตราส่วนของ Bi : Te เป็น 2.53 : 2.47 ซึ่งอัตราส่วนดังกล่าวจะแตกต่างจากอัตราส่วนของ Bi : Te ของเป้าสารเคลือบ (Bi : Te = 2 : 3) ซึ่งเกิดจากอัตราการเคลือบของอะตอม Bi สูงกว่าอะตอม Te [14] เมื่อนำฟิล์มไปอบที่อุณหภูมิ 300 – 400 ºC พบว่าฟิล์มจะมีอัตราส่วนของ Bi : Te ใกล้เคียงอัตราส่วน 2 : 3 มากขึ้นเพราะจากจุดหลอมเหลวของ Bi ซึ่งเท่ากับ 271.3 ºC [15] จุดหลอมเหลว Bi2Te3 = 586 [16] เมื่อนำไปอบในช่วงอุณหภูมิ 300-400 ºC จะทำให้อะตอมของ Bi ระเหยออกไป ทำให้ได้อัตราส่วนของ Bi : Te ใกล้เคียงกับ 2 : 3 จากผลดังกล่าวชี้ให้เห็นว่ากระบวนการอบฟิล์มจะช่วยปรับอัตราส่วนของ Bi : Te ให้ใกล้เคียงกับ Bi2Te3 มากขึ้น

ผลลัพธ์ (อังกฤษ) 1:

Figure 5 shows an analysis of that power (EDS) of thin film by ride evokes samat bikini pour Bi Te: the ratio of the film at various temperature and bake it from table 1 table 1 showed that the film does not pass, the oven will have a ratio of 2.47 2.53: Bi: Te is such a ratio, which is different from the ratio of the Te target of coating: Bi (Bi: Te = 2:3), which is caused by the high rate of Bi coating over Te Atomic Atom [2] when the film 300 – 400 ºC temperature oven found that the film will have a ratio of Bi: nearby Te ratio 2:3 more because of the melting point of 271.3 ºC, which equals Bi [15] Bi2Te3 melting point =. [16] when 586 bake in 300-400 ºC temperature range will cause the atoms to evaporate, making Bi has the ratio of 2 close to Te: Bi: 3 from such results suggest that the film will help adjust the baking process, the ratio of Bi, Bi2Te3 close to Te: more.

ผลลัพธ์ (อังกฤษ) 2:

Figure 5 shows an energy elemental analysis (EDS) thin films of bismuth telluride only by the ratio of Bi: Te film to be baked at different temperatures. Table 1 Table 1 showed that films without drying to a ratio of Bi: Te was 2.53: 2.47 This ratio is different from the ratio of Bi: Te target coating (Bi: Te =. 2: 3) caused by the coating of atoms Bi higher atomic Te [14] when the film is baked at a temperature of 300 - 400 ºC found that the film would have a ratio of Bi: Te area ratio of 2: 3 more because. the melting point of Bi, which equals 271.3 ºC [15] Melting Bi2Te3 = 586 [16] when the baking temperature range 300-400 ºC of Bi atoms are evaporated to make the ratio of Bi: Te close to 2: 3. these results suggest that the film is a ratio of Bi: Te close to Bi2Te3 more.

ผลลัพธ์ (อังกฤษ) 3:

Figure 5 show elemental analysis of energy (EDS) thin film biz mus telluride by the ratio of Bi: Te film andheat at various temperatures. Is shown in Table 1 from table 1 found the film through the baking process will be the ratio of Bi: Te is 2.53: 2. 47 which the ratio is different from the ratio of Bi: Te of sputtering (Bi: Te = 2: 3), which caused the deposition rate of atoms Bi higher atomic Te [14] when the film to a temperature 300 - 400 º C. Found that the film will be the ratio of Bi: Te close ratio 2: 3 more because of the melting point of Bi which equals 271.3 º C [15] the melting point. Bi2Te3 = 586 [16] when it around in the temperature range of 300-400 º C will make the atoms of the Bi evaporate away to make the ratio of Bi: Te close to 2: 3. These results suggested that the baking process to adjust the ratio of film Bi: Te close to the Bi2Te3 more.