Early photo transistors used german

Early photo transistors used germanium or silicon throughout the device giving a homo-junction structure. The more modern phototransistors use type III-V materials such as gallium arsenide and the like. Heterostructures that use different materials either side of the p-n junction are also popular because they provide a high conversion efficiency. These are generally fabricated using epitaxial growth of materials that have matching lattice structures. These photo transistors generally use a mesa structure. Sometimes a Schottky (metal semiconductor) junction can be used for the collector within a phototransistor, although this practice is less common these days because other structures offer better levels of performance.

ผลลัพธ์ (แอฟริกา) 1:

Vroeë foto transistors gebruik germanium of silikon regdeur die toestel wat 'n homo-aansluiting struktuur. Die meer moderne phototransistors gebruik tipe III-V materiaal soos galliumarsenied en dies meer. Skeef dat verskillende materiale weerskante van die pn-aansluiting gebruik is ook gewild omdat hulle 'n hoë sukses doeltreffendheid. Dit word algemeen vervaardigde gebruik epitaksiale groei van materiaal wat ooreenstem met tralierangskikkings. Hierdie foto transistors algemeen gebruik om 'n mesa struktuur. Soms is 'n Schottky (metaal halfgeleier) aansluiting kan gebruik word vir die versamelaar binne 'n foto transistor, hoewel hierdie praktyk is minder algemeen hierdie dae omdat ander strukture bied 'n beter vlakke van prestasie.