ฟิล์มบางบิสมัสเทลลูไรด์ถูกนำไปวิเคร

ฟิล์มบางบิสมัสเทลลูไรด์ถูกนำไปวิเคราะห์สมบัติทางเทอร์โมอิเล็กทริกโดยใช้เครื่องวัดค่าสัมประสิทธิ์ซีเบคและ ค่าสภาพต้านทานไฟฟ้า (ZEM3) ถูกวัดตั้งแต่อุณหภูมิห้องถึง 150 ºC จากรูปที่ 6 พบว่า เมื่ออุณหภูมิการอบเพิ่มขึ้น การนำไฟฟ้าจะดีขึ้น อาจเนื่องจากความเป็นผลึกของฟิล์มสูงขึ้น ส่งผลให้การนำไฟฟ้าดีขึ้น จากรูปที่ 7 จะพบว่าฟิล์มบางบิสมัสเทลลูไรด์อบที่ 400 ºC มีค่าสภาพนำไฟฟ้าดีที่สุด เท่ากับ 2.30 x 105 Ωm-1 วัดที่อุณหภูมิห้อง ซึ่งสอดคล้องกับงานวิจัยของ H. Huang et al. [17] เมื่อทำการอบฟิล์มบางบิสมัสเทลลูไรด์ที่อุณหภูมิ 100-300 ºC ภายใต้ความดันบรรยากาศของก๊าซไนโตรเจน เป็นเวลา 1 ชั่วโมง ฟิล์มบางบิสมัสเทลลูไรด์อบที่อุณหภูมิสูงสุด (300 ºC) มีค่าสภาพนำไฟฟ้าดีที่สุด เท่ากับ 7.1 Ωm-1 วัดที่อุณหภูมิห้อง

ผลลัพธ์ (อังกฤษ) 1:

The film evokes some of samat bikini pour Ryde analysis thermoplastic properties measurement using dielectric coefficient and resistivity values Xebec (ZEM3) were measured at room temperature up to 150 ºC since from Figure 6, found that when the temperature increases drying. Electrical conductivity may be better because of the higher the crystalline film. As a result, better electrical conductivity from Figure 7 will find some film bikini samat pour baked 400 ºC with Ryde evokes values the best conductivity with 2.30 x 105 m Ω-1. Measured at room temperature, which corresponds to the research of H. Huang et al., [5] when the film evokes some of samat bikini pour baking ride at a temperature of 100-300 ºC under atmospheric pressure of nitrogen gas for 1 hour bikini samat pour thin film oven at maximum temperature to Ryde kullu (300 ºC) is the best conductivity value equal to 7.1 m Ω-1. Measured at room temperature.

ผลลัพธ์ (อังกฤษ) 2:

Thin bismuth telluride was poured, the properties of the thermoplastic dielectric using a coefficient C. Beck. The resistivity (ZEM3) were measured from room temperature to 150 ºC from Figure 6 that when the baking temperature increases. Conductivity is improved Probably due to the crystallinity of the film higher. Resulting in improved conductivity of Figure 7 to find that thin bismuth telluride pour the oven to 400 ºC best conductivity equal to 2.30 x 105 Ωm-1 measured at room temperature. This is consistent with the research of H. Huang et al. [17] When a thin film of bismuth telluride technology at 100-300 ºC temperature under atmospheric pressure of nitrogen gas for 1 hour, thin-film distributor. Mustaine's Telluride oven to the highest temperature (300 ºC) with the best conductivity of 7.1 Ωm-1 measured at room temperature.

ผลลัพธ์ (อังกฤษ) 3:

Thin film biz mus telluride was analyzed the thermal โมอิ electric meter coefficient using chi-square Xebec and resistivity. (ZEM3) was measured from room temperature to 150 º C from Figure 6 found that when the temperature of drying increased electrical conductivity is improved, probably because of the crystallinity of film higher. The resulting conductivity better from Figure 7 will find that BIS mus telluride thin film oven at 400 º C the state นำไฟฟ้า best equal 2.30 x 105 Ω M-1. Measured at room temperature. According to the research of H. Huang et al. [] when the steam 17 thin film biz mus telluride at 100-300 º C. Atmospheric pressure of nitrogen for 1 hours. Thin film biz mus telluride bake at maximum temperature (300 º C) is the best electrolytic conductivity were 7.1 Ω M-1 measured at room temperature.