1. เพื่อศึกษากระบวนการกัดแบบเปียก2.

1. เพื่อศึกษากระบวนการกัดแบบเปียก
2. เพื่อศึกษาระยะความลึกของร่องการกัดแผ่นซิลิคอน เมื่อเปลี่ยนแปลงไปตามความเข้มข้นที่กำหนด และ ตัวแปรที่ควบคุมที่กำหนด คือ อัตราการคนของสาร และ อุณหภูมิของสารละลาย
3. เพื่อศึกษาคุณสมบัติทางกรด-เบส หลังจากกัดแผ่นซิลิคอน ทำให้สารละลาย TMAH มีการเปลื่ยนแปลงไปในแต่ละอัตราส่วนที่กำหนด
4. เพื่อศึกษาคุณสมบัติทางกรด-เบสมีผลต่อการกัดแผ่นซิลิคอน โดยมีความระยะความลึกของการกัดเป็นแนวโน้มเป้นเส้นตรง
5. เพื่อศึกษาและนำผลการทดลองไปใช้ในการทำเครื่องตัววัดแสง (Photo detector) โดยใช้ระยะความลึกของแผ่นซิลิคอนที่ได้จากการทดลอง

ผลลัพธ์ (ลาว) 1:

1. ເພື່ອ​ສຶກ​ສາ​ຂະ​ບວນ​ການ​ຂອງ​ໂຮງ​ງານ​ຊຸ່ມ
2​. ເພື່ອ​ສຶກ​ສາ​ຄວາມ​ເລິກ​ຂອງ​ນ​້​ໍ​ຊິ​ລິ​ຄອນ etching ໄດ້​. ໃນ​ເວ​ລາ​ການ​ປ່ຽນ​ແປງ​ເອກ​ແລະ​ຕົວ​ປ່ຽນ​ແປງ​ການ​ຄວບ​ຄຸມ​ອັດ​ຕາ​ການ​ສານ​ເສບ​ຕິດ​ແລະ​ອຸນ​ຫະ​ພູມ​ຂອງ​ການ​ແກ້​ໄຂ​ໄດ້
3​. ການ​ສຶກ​ສາ​ຄຸນ​ສົມ​ບັດ​ຂອງ​ອາ​ຊິດ - ພື້ນ​ຖານ​. ຫຼັງ​ຈາກ etching ຊິ​ລິ​ຄອນ ມັນ TMAH ການ​ແກ້​ໄຂ​ແມ່ນ​ການ​ປ່ຽນ​ແປງ​ໄປ​ອັດ​ຕາ​ສ່ວນ​ທີ່​ກໍາ​ນົດ​ໄວ້
4​. ການ​ສຶກ​ສາ​ຄຸນ​ສົມ​ບັດ​ຂອງ​ອາ​ຊິດ - ພື້ນ​ຖານ​ມີ​ຜົນ​ກະ​ທົບ etching ຊິ​ລິ​ຄອນ​. ຄວາມ​ເລິກ​ຂອງ etching ການ​ທີ່​ມີ​ຊາຍ​ແດນ​ເສັ້ນ​ແນວ​ໂນ້ມ
5​. ການ​ສຶກ​ສາ​ແລະ​ຜົນ​ໄດ້​ຮັບ​ຖືກ​ນໍາ​ໃຊ້​ເພື່ອ​ເຮັດ​ໃຫ້​ແສງ​ສະ​ຫວ່າງ (ກວດ​ຮູບ​ພາບ​) ໂດຍ​ນໍາ​ໃຊ້​ຄວາມ​ເລິກ​ຢ່າງ​ເຕັມ​ທີ່​ຂອງ Silicon ຈາກ​ການ​ທົດ​ລອງ​ໄດ້​.