1. เพื่อศึกษากระบวนการกัดแบบเปียก
2. เพื่อศึกษาระยะความลึกของร่องการกัดแผ่นซิลิคอน เมื่อเปลี่ยนแปลงไปตามความเข้มข้นที่กำหนด และ ตัวแปรที่ควบคุมที่กำหนด คือ อัตราการคนของสาร และ อุณหภูมิของสารละลาย
3. เพื่อศึกษาคุณสมบัติทางกรด-เบส หลังจากกัดแผ่นซิลิคอน ทำให้สารละลาย TMAH มีการเปลื่ยนแปลงไปในแต่ละอัตราส่วนที่กำหนด
4. เพื่อศึกษาคุณสมบัติทางกรด-เบสมีผลต่อการกัดแผ่นซิลิคอน โดยมีความระยะความลึกของการกัดเป็นแนวโน้มเป้นเส้นตรง
5. เพื่อศึกษาและนำผลการทดลองไปใช้ในการทำเครื่องตัววัดแสง (Photo detector) โดยใช้ระยะความลึกของแผ่นซิลิคอนที่ได้จากการทดลอง