โครงงานนี้ได้ทำการศึกษาอิทธิพลของอุ

โครงงานนี้ได้ทำการศึกษาอิทธิพลของอุณหภูมิการอบซ้ำที่ส่งผลต่อสมบัติของฟิล์มเคลือบคาร์บอนคล้ายเพชร (DLC) ด้วยกระบวนการเคลือบ Plasma Based Iron Implantation (PBII) โดยชิ้นงานที่ใช้เคลือบคือ Silicon Wafer ซึ่งเติมด้วยแก๊ส C2H2 , C2H2: H2 , C2H2 : TMS : N2และ C2H2 : TMS : O2 ทำให้ได้ฟิล์ม DLC, H-DLC, Si-N-DLC และ Si-O-DLC ตามลำดับ จากนั้นนำฟิล์มที่ได้ไปอบซ้ำที่อุณหภูมิ 150˚C, 300˚C, 450˚C และ 600˚C เป็นเวลา 1 ชั่วโมงทุกอุณหภูมิ แล้วนำฟิล์มไปทดสอบโครงสร้างของฟิล์มด้วยเครื่องรามานสเปกโตรสโคปี (Raman Spectroscopy) ทดสอบค่าสัมประสิทธิ์แรงเสียดทานด้วยเครื่อง Tribo meter ทดสอบความกว้างของรอยสึกหรอด้วยกล้องจุลทรรศน์(Microscope) ผลจากการทดลองพบว่าฟิล์ม Si-O-DLC มีค่าสัมประสิทธิ์ที่ต่ำกว่าฟิล์มชนิดอื่นเท่ากับ 0.051 และสามารถทนอุณหภูมิการอบซ้ำได้ถึง 450˚C โดยมีค่าสัมประสิทธิ์แรงเสียดทานเท่ากับ 0.074

ผลลัพธ์ (อังกฤษ) 1:

This project studied the influence of repeated baking temperatures that can affect the properties of diamond film carbon coating (DLC), a similar process of coating Iron Plasma Implantation (PBII) Based by the use of Silicon Wafer which is coated with the H2, C2H2, C2H2 gas: C2H2: TMS: N 2 C2H2 and O2, makes TMS:.: film H-DLC, Si-N-DLC and Si-O-DLC, DLC, respectively, then remove the film that has been baked at a temperature of 150° C, repeat, 300° C, 450° C and 600° C for 1 hour, then remove the temperature structure of the test film on film with a Raman spectrometers, about a grown-up taste co (Raman Spectroscopy) year test with a coefficient of friction Tribo test meter width of wear luxury.Aduai microscope (Microscope) The result of the experiment found that there Si-O-DLC film coefficient lower than other types of film, which is equal to the baking temperature, and can repeat 0.051 up to 450° C. By having a coefficient of friction is equal to 0.074.

ผลลัพธ์ (อังกฤษ) 2:

This project has studied the influence of temperature baking repeat that affect the properties of the film coating DLC ​​(DLC) process coating Plasma Based Iron Implantation (PBII) the specimen coating is Silicon Wafer filled with gas C2H2. , C2H2: H2, C2H2: TMS: N2 and C2H2: TMS: O2 gives the film DLC, H-DLC, Si-N-DLC and Si-O-DLC, respectively, then the film has dried repeatedly at 150. ˚C, 300˚C, 450˚C and 600˚C temperature for 1 hour. Then the film to test the structure of the film by Raman spectroscopy year (Raman Spectroscopy) Coefficient of friction with Tribo meter to test the width of the tracks wear microscope (Microscope) results showed that film. Si-O-DLC has a lower coefficient of 0.051 and a different type of film can withstand temperatures up to 450˚C repeated baking by the coefficient of friction of 0.074.

ผลลัพธ์ (อังกฤษ) 3:

This project studied the influence of temperature of drying and affecting the properties of diamond like carbon film coating (DLC) with the coating process. Plasma Based Iron Implantation (PBII) by the workpiece coating used Silicon Wafer is filled with gas C2H2 C2H2: H2 C2H2:,,, And TMS: N2 C2H2: TMS: O2 made film DLC H-DLC Si-N-DLC Si-O-DLC,, and respectively. Then, the films annealed repeated temperature. 150 ˚ C 300 C, ˚, ˚ and 450 C 600 ˚ C for 1 hours every temperature. The film to test the structure of film with Raman spectroscopy (Raman Spectroscopy) to test the coefficient of friction ระสิทธิ์ with the machine. Tribo meter test of welded liner width microscope (Microscope) from the result of experiment showed that the film Si-O-DLC proportions are lower than other types of 0.051 film and can endure temperature drying times. 450 ˚ C coefficient of friction 0.074.