如果將圖 5.1-5 或 5.1-7 中的 M2 門帶到 M1 的門,則推拉 CMOS 逆變器<br>圖5.1-8結果。推拉逆變器的大信號電壓傳輸功能圖<br>可以以類似當前源逆變器的圖進行找到。在這種情況下<br>點 A、B、C 等描述了推拉逆變器的負載線。大信號<br>通過將這些點投射到水準軸上並繪製圖 5.1-8 右下圖的結果,可以發現電壓傳輸函數特徵。在比較<br>電流源和推拉之間的大信號電壓傳輸功能特性<br>逆變器,它看到推拉逆變器有更高的增益假設相同的晶體管。<br>這是由於兩個晶體管都由 vIN 驅動。另一個優勢<br>推拉逆變器是輸出擺動能夠從鐵路到鐵路運行(VDD到<br>在這種情況下的地面)。<br>推拉逆變器的操作區域顯示在電壓傳輸上<br>圖5.1-8的曲線。這些區域很容易找到使用VDS(坐)的定義給<br>莫斯費特。
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