ซิลิกอนคาร์ไบด์เป็นสารกึ่งตัวน าที่

ซิลิกอนคาร์ไบด์เป็นสารกึ่งตัวน าที่สามารถน าไฟฟ้าและน าความร้อนได้ดี อีกทั้งยังมีช่องว่างของแถบพลังงานกว้างเหมาะส าหรับการประยุกต์ใช้งาน ณ อุณหภูมิสูง ความถี่สูง ในสิ่งแวดล้อมที่ไม่ เหมาะสม (Morkoc et al.,1994 and Zhou et al., 2000) นอกจากนี้ยังพบว่า ซิลิกอนคาร์ไบด์ที่อยู่ในรูปของแท่งนาโนซิลิกอนคาร์ไบด์มีสมบัติความยืดหยุ่น และมีความแข็งแรงค่อนข้างสูงกว่า ซิลิกอนคาร์ไบด์ที่มีขนาดใหญ่ สามารถน าไปใช้เป็นวัสดุเสริมก าลังผิวหน้าในเซรามิก โลหะ และใช้เป็นวัสดุประกอบที่น ามาเสริมก าลังในสารโพลิเมอร์ได้ นอกจากนี้ได้มีการสังเคราะห์ซิลิคอนคาร์ไบด์โดยวิธีต่างๆ อาทิเช่น Han et al.,1997 ได้ท าการสังเคราะห์แท่งนาโนซิลิคอนคาร์ไบด์โดยการผสมผง Si-SiO2 และท่อนาโนคาร์บอนภายในท่อ อะลูมิเนียม ภายใต้บรรยากาศของก๊าซเฉื่อย ที่อุณหภูมิ 1,400 องศาเซลเซียส Singjai et al., 2002 ได้ท าการสังเคราะห์เส้นใยนาโนชนิดลูกปัดซึ่งประกอบด้วยท่อนาโนคาร์บอน ซิลิคอนคาร์ไบด์ อะลูมิ นา (Alumina) ออกไซด์ และสารประกอบอื่นๆ ที่สังเคราะห์ได้จากแท่งดินสอ โดยใช้เทคนิคการให้ความร้อนด้วยกระแสไฟฟ้า ภายใต้บรรยากาศของก๊าซอาร์กอน การวิจัยนี้มุ่งเน้นศึกษาการสังเคราะห์เส้นใยนาโนซิลิกอนคาร์ไบด์จาก ถ่านแกลบ กะลามะพร้าว มะม่วง ผสมผงแกรไฟต์ และอะลูมิเนียมออกไซด์ โดยใช้เทคนิคการให้ความร้อนด้วยกระแสไฟฟ้า ภายใต้บรรยากาศของก๊าซอาร์กอนเนื่องจากเป็นวิธีที่ใช้ต้นทุนในการผลิตค่อนข้างต่ า และวิเคราะห์องค์ประกอบของธาตุและองค์ประกอบโครงสร้างจุลภาคของสารที่เตรียมได้โดยใช้เทคนิคการกระจาย พลังงานของรังสีเอ็กซ์ (Energy dispersive analysis of x-rays, EDX) และ กล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องกราด (Scanning electron microscope, SEM)
กระบวนการเตรียมแท่งสาร

ผลลัพธ์ (อังกฤษ) 1:

Silicon Carbide semiconductor nakha is na na and NAK which can of hot as well. It also contains a power-bar gap width suitable for applications at high temperatures. High frequencies in the environment that is not appropriate (Morkoc et al., 1994, Zhou et al., and 2000) also found that the silicon carbide nakha as nano-silicon carbide rods, there are treasures and nakha strength somewhat higher. Silicon Carbide nakha large Can be used as supplementary material of farming are on the ceramic face? Metal and used as supplementary materials that are in Panama polymers. In addition, there has been a synthesis of silicon carbide by various methods, such as Han et al., 1997. synthesis of nano-Silicon ingot Ta carbide by powder and carbon nano-tube Si-SiO2 internal pipe aluminum under inert gas atmosphere at a temperature of 1400° c Singjai et al., 2002 suite. Synthesis of Nano-fiber type Nano-Tube beads, which contains carbon. Silicon Carbide aluminum Diecasting Oxide (Alumina) and other synthetic compounds from bone pencil. Using this technique, the heat with electricity. Under the atmosphere of argon gas. This research focuses on the study of Nano-fiber synthetic silicon carbide from rice husk charcoal coconut shell nakha. Mango powder, graphite and aluminum oxide by heating with electricity, Under the atmosphere of argon gas is used because the cost of production is quite ta and analyze the composition of chemical elements and the structure of compounds prepared by an explosion. The power of the x-ray (EDX Energy dispersive analysis of x-rays,) and the songkrat electron microscope (Scanning electron microscope, SEM) กระบวนการเตรียมแท่งสาร

ผลลัพธ์ (อังกฤษ) 2:

Silicon carbide is a semiconductor that can be appropriate in the electricity and water heat. There is also a wide energy band gap of the suit. For high temperature applications at higher frequencies in an inappropriate environment (Morkoc et al., 1994 and Zhou et al., 2000) also found. Silicon carbide is in the form of nanorods silicon carbide has elastic properties. And a somewhat higher strength. Silicon carbide at large can be used as a supplementary material. Facial capacity in ceramic, metal and composite materials used are appropriate to enhance the capacity of polymers made. In addition, a synthesis of silicon carbide by means such as Han et al., 1997, to receive the synthesis of nanorods silicon carbide by mixing powdered Si-SiO2 and carbon nanotubes within the aluminum underneath. The inert atmosphere at a temperature of 1400 degrees Celsius Singjai et al., 2002, to receive the nanofiber synthetic beads consisting of carbon nanotubes. Silicon carbide, alumina (Alumina) oxide and other compounds. The synthesis of a pencil Using the technique of heating with electricity. Under the atmosphere of argon gas This research focuses on the synthesis of nanowire silicon carbide from coconut husk charcoal, graphite and aluminum oxide powder, mango mixture. Using the technique of heating with electricity. Under the atmosphere of argon gas as a way to use relatively low production costs and analyze the elemental composition and the microstructure of the material prepared by the deployment technique. X-ray energy (Energy dispersive analysis of x-rays, EDX) and electron microscopy, SEM (Scanning electron microscope, SEM)
process rods substance.

ผลลัพธ์ (อังกฤษ) 3:

Silicon carbide is one of semi. Can. And electricity, heating as well. There is also a space of energy band width suitable post for applications at high temperature, high frequency, in the environment without proper. (Morkoc et, al.1994 and Zhou et, al.2000) is also found. Silicon carbide in the form of bars of nano silicon carbide treasure flexibility. And the strength is higher. Silicon carbide with large can. To be used as supplementary material.Metals and materials assembled here. Combined, are in the polymer. In addition, the synthesis of silicon carbide by various methods, such as Han et al.1997 has, synthesis. Nano silicon carbide rods by mixing powder and Si-SiO2 carbon nanotubes inside pipes aluminium under inert atmosphere. At 1 400 C, Singjai et, al.Synthesis of nano fibers, 2002 has type beads which consists of carbon nanotube, silicon carbide and alumina alumina Bai (Alumina) oxide, and other compounds Synthesized from the pencil. By using the techniques of heat by electricity.This research focused on the synthesis of nano silicon carbide fibers from rice husk charcoal, coconut shell coconut, mango, mixing graphite powder and aluminum oxide. By using the techniques of heat by electricity., and analyze the composition of the elements and elements microstructure of substance prepared by using techniques of energy distribution of X-ray. (Energy dispersive analysis, of X-raysEDX) and scanning electron microscope (Scanning, electron microscope SEM)
process for preparing rods substance.